[发明专利]膜载体的制造方法和在该方法中使用的掩膜及膜载体无效

专利信息
申请号: 97191085.5 申请日: 1997-06-04
公开(公告)号: CN1116697C 公开(公告)日: 2003-07-30
发明(设计)人: 汤泽秀树 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 杨凯,叶恺东
地址: 暂无信息 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明是将导体图形复制到安装电子元件的膜载体上的方法,利用在涂敷了光致抗蚀剂的膜载体上备有导体图形和2个以上的导体图形的位置重合用的标记的掩模,预备性地复制掩模图形,测定被复制了的位置重合用的标记相对于膜载体的基准坐标的位置与设计位置的偏移,调节掩模相对于膜载体的位置,其后将所述掩模图形正式复制到膜载体上。此外,公开了备有用于实施所述方法的导体图形和2个以上的导体图形的位置重合用的标记的掩模。还公开了在导体层表面除了导体图形以外复制了对于膜的2个以上的导体图形的位置重合用的标记的膜载体。
搜索关键词: 载体 制造 方法 使用
【主权项】:
1.一种包含有导体图形的膜载体的制造方法,其特征在于,具有下述工序:(a)将光致抗蚀剂涂敷到由具有开口部的膜和涂敷该膜的导体层构成的膜载体的所述导体层表面上的工序;(b)利用具备了由导体图形形成用的图形和2个以上的位置重合用的标记构成的掩模图形的掩模,将所述掩模图形投影到所述膜载体的所述光致抗蚀剂上,将所述掩膜图形复制到所述光致抗蚀剂上的工序;(c)测定相对于所述膜载体的基准坐标,所述被复制了的位置重合用的标记位置与所述被复制了的位置重合用的标记的设计位置之间的偏移的工序;(d)根据所述偏移调节所述掩模相对于所述膜载体的位置的工序;和(e)在调节了所述掩模相对于所述膜载体的位置后,将所述掩模图形复制到所述膜载体上的工序。
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