[发明专利]辐射吸收聚合物及含该聚合物的成膜组合物和抗反射涂层无效
申请号: | 97191275.0 | 申请日: | 1997-09-16 |
公开(公告)号: | CN1150219C | 公开(公告)日: | 2004-05-19 |
发明(设计)人: | 康文兵;常田明彦;荒卷华世;田中初幸;木村健 | 申请(专利权)人: | 克拉瑞特金融(BVI)有限公司 |
主分类号: | C08F8/14 | 分类号: | C08F8/14;C08F8/32;C08F216/00;C08F222/00;C08L29/00;C08L35/00;C09D5/00;C09D129/00;C09D135/00;G03F7/11 |
代理公司: | 北京三幸商标专利事务所 | 代理人: | 刘激扬 |
地址: | 英属维尔京群岛托尔托拉岛罗德城*** | 国省代码: | 维尔京群岛;VG |
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摘要: | 本发明提供了一种辐射吸收聚合物,其具有共聚物的主链,所说共聚物包含具有二元羧酸或羧酸酐基团的重复单元及通过亚甲基或亚烷基键合至羧基的有机发色基团,其中有机发色基团通过酯化反应被键合至羧基上。辐射吸收聚合物的其余羧基可选择性地用具有活性氨基的芳族化合物进行酰胺化和/或酰亚胺化。辐射吸收聚合物显示出优良的同步覆盖度,当聚合物与必要时加入的具有氨基活性基团的芳族化合物溶解于用于抗蚀剂溶液相同的溶剂中时,可改善性能,并形成一种抗反射涂层,在烘烤涂敷于基质上的膜后,该抗反射涂层不溶于抗蚀剂溶剂中。将抗光蚀剂涂敷于抗反射涂层上,通过辐射如远UV辐射曝光。形成具有高分辨率的抗蚀剂图形,在生产集成电路元件时不受驻波的影响。 | ||
搜索关键词: | 辐射 吸收 聚合物 组合 反射 涂层 | ||
【主权项】:
1、一种能吸收180至450nm波长辐射的辐射吸收聚合物,它由至少式1表示的重复单元和式2表示的重复单元组成,
其中R1和R2独立地为氢原子或烷基,X为亚甲基或至少2个碳原子的直链亚烷基,Ar为一种吸收180至450nm波长辐射的、未取代或被1或2个硝基取代的苯环或稠环,所述苯环或稠环直接键合至X上,或者通过一个氮原子键合至X上,n为0或1;
其中R3和R4独立地为氢原子、烷基或羧基,Y为氢原子、烷氧基或烷基,其中,所述聚合物的分子量为300至1000000,所包含的式1的重复单元占总重复单元数的至少5mol%,其中所述的聚合物是通过使由至少一种式3或3′表示的重复单元和式2表示的重复单元组成的共聚物与能吸收180至450nm波长辐射的式(11)、(IV)、(V)、(VI)、(VII)、(VIII)或(IX)表示的化合物反应得到的,
其中R1和R2独立地为氢原子或烷基,n为0或1;
其中R3和R4独立地为氢原子、烷基或羧基,Y为氢原子、烷氧基或烷基;![]()
其中,在式(11)中,R9表示氢原子或烷基,n为1或更大的整数。
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