[发明专利]声表面波器件无效
申请号: | 97191459.1 | 申请日: | 1997-10-16 |
公开(公告)号: | CN1112763C | 公开(公告)日: | 2003-06-25 |
发明(设计)人: | 井上宪司;佐藤胜男 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
主分类号: | H03H9/145 | 分类号: | H03H9/145;H03H9/25 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 马浩 |
地址: | 暂无信息 | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种尺寸减小、选择性提高和具有宽通带的声表面波器件,它包括:基体和在其表面上形成的叉指电极。I.提供压电膜以覆盖基体表面和叉指电极表面,II.在基体表提供压电膜,而且叉指电极加在压电膜表面上,III.提供压电膜以覆盖基体表面和叉指电极表面,并在压电膜表面上加反电极膜,或者IV.在基体表面上加反电极膜,在反电极膜表面上加压电膜,在压电膜表面上加叉指电极。压电膜有一个压电轴与基体平面基本垂直。 | ||
搜索关键词: | 表面波 器件 | ||
【主权项】:
1.一种声表面波器件,包括:基体,所述基体表面上的叉指电极,以及设置成覆盖上述基体的上述表面和上述叉指电极的表面的压电膜;其中:上述基体是属于点群32的langasite单晶体,且当从langasite单晶体切出的上述基体的切角和声表面波在上述基体上的传播方向用欧拉角(φ,θ,ψ)表示时,其中:-5°≤φ≤5°85°≤θ≤95°-90°≤ψ<-70°,并且所述压电膜是一个c-轴取向的ZnO膜,满足h/λ=0.2到0.8其中,h是上述ZnO膜的厚度,λ是声表面波的波长。
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