[发明专利]热电元件的制造方法

摘要

本发明是制造热电元件的方法，该方法如下，分别留下厚度方向的一部分，按照相同的间隔制作平行地形成了多个槽(16、26)的n型热电半导体的开槽块(11)以及p型热电半导体的开槽块(21)，使该n型和p型热电半导体的开槽块(11、21)相互嵌套，在其嵌套部分的缝隙中充填具有粘接性的绝缘材料进行粘合，形成一体化块(3)。除去该一体化块(3)中的n型和p型热电半导体相互嵌套着的嵌套部分以外的部分，使得n型以及p型热电半导体单元露出来，形成把该各热电半导体单元相互串联连接的电极。进而，在该上述一体化块(3)上，留下厚度方向的一部分，沿着与上述槽(16、26)的方向相交叉的方向上进行多个槽加工，在该槽加工部分中充填绝缘材料并使其固化以后，最好进行使上述半导体单元露出来的工艺和形成电极的工艺。

主权项

1.一种热电元件的制造方法，其特征在于具有第1槽加工工艺，准备把n型热电半导体块和基底粘接在一起的n型热电半导体复合块以及把p型热电半导体块和基底粘接在一起的p型热电半导体复合块，对于该各热电半导体复合块，在上述n型热电半导体块以及p型热电半导体块上分别按照相同的间隔以达到与上述各基底的交界面附近的深度进行多个槽加工；嵌套工艺，把在上述第1槽加工工艺中分别槽加工了的n型热电半导体复合块和p型热电半导体复合块进行嵌套使得该被槽加工了的面相对；粘合工艺，在由上述嵌套工艺相互嵌套了的上述n型热电半导体复合块和p型热电半导体复合块的嵌套部分的缝隙中充填具有粘接性的绝缘材料进行粘合，形成一体化块；除去上述一体化块的2个基底中的一个基底的基底除去工艺；第2槽加工工艺，在用上述基底除去工艺除去了上述一个基底的一体化块上，从除去了该基底的一侧开始，沿着与上述第1槽加工工艺中的槽加工方向相交叉的方向以达到上述热电半导体块与另一个基底的交界面附近的深度进行多个槽加工；固化工艺，在由第2槽加工工艺中的槽加工部分中充填绝缘材料并使其固化；热电半导体单元露出工艺，除去在固化工艺中充填并固化了绝缘材料的一体化块中未被除去的上述基底部分，使得n型以及p型热电半导体单元露出来。