[发明专利]由有机卤硅烷水解制备聚有机硅氧烷的方法无效

专利信息
申请号: 97191854.6 申请日: 1997-01-23
公开(公告)号: CN1099435C 公开(公告)日: 2003-01-22
发明(设计)人: L·多盖特;P·福佩里恩;E·福奇尔;F·莱辛 申请(专利权)人: 罗狄亚化学公司
主分类号: C08G77/06 分类号: C08G77/06
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王杰
地址: 法国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及通过式(I)RaR1bSiXc的有机卤化硅烷的水解制备聚有机硅氧烷的方法,其中R和R1相同或不同地代表氢原子或线性或支化C1~C6烷基、芳基、烷芳基或芳烷基;X表示卤原子;且a+b+c=4,且0<c<4;该方法包含三个或多个连续水解步骤(1)、(2)、(3),其中反应介质能够将提高的水解力作用于有机卤化硅烷(I)上,其中步骤(1)是在反应介质的压力和温度下,在饱和卤化氢的水溶液S1存在下的加压水解;和视具体情况而定进行一个或多个聚结步骤(4)。
搜索关键词: 有机 硅烷 水解 制备 有机硅 方法
【主权项】:
1.通过式(I)RaR1bSiXc所示有机卤化硅烷的水解制备聚有机硅氧烷的方法,其中:R或R1相同或不同地代表氢原子、线性或支化C1~C6烷基、芳基、烷芳基或芳烷基;X表示卤原子;且a+b+c=4,且0<c<4;其特征在于该方法包含以下步骤:-对有机硅烷(I)进行至少三个连续水解步骤(1)、(2)、(3),其中,通过使水相对≡SiX键的反应活性随步骤1、2和3逐步增加,使反应介质能够将提高的水解力作用于有机卤化硅烷(I)上:步骤(1)是在反应介质的压力和温度下,在饱和卤化氢的水溶液S1存在下的加压水解,步骤(2)是10~50℃下的湿法水解,步骤(3)是用稀水溶液的水解,其水含量大于或等于90wt%。
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