[发明专利]无色碳化硅晶体的生长无效
| 申请号： | 97192084.2 | 申请日： | 1997-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN1210565A | 公开（公告）日： | 1999-03-10 |
| 发明（设计）人： | C·H·卡特;V·F·特斯维特科夫;R·C·格拉丝 | 申请（专利权）人： | 克里研究公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 龙传红 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在一个炉式升华系统中生长了大尺寸的单晶碳化硅。为了产生基本无色的晶体,生长了具有均衡含量的p型和n型掺杂剂(大致等量的两种掺杂剂)。所说的晶体可以琢磨加工成具有超常韧性和硬度以及满足或超过钻石的光彩的人造宝石。 | ||
| 搜索关键词： | 无色 碳化硅 晶体 生长 | ||
【主权项】：
1、一种用无色的单晶碳化硅形成的人造宝石，含有均衡含量的n型和p型掺杂剂。
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