[发明专利]正性光刻胶组合物的热处理方法无效
| 申请号： | 97192770.7 | 申请日： | 1997-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN1124521C | 公开（公告）日： | 2003-10-15 |
| 发明（设计）人： | R·R·达梅尔;卢炳宏;M·A·斯巴克;O·阿利勒 | 申请（专利权）人： | 克拉里安特国际有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/38 | 分类号： | G03F7/38 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 黄泽雄 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了对于重氮萘醌磺酸酯-酚醛清漆正性光刻胶的快速后曝光烘烤(快速PEB)方法，该方法提供了显著的优点。该方法优选在底抗反射涂层上使用比抗蚀剂普通后曝光烘烤(PEB)较高的温度(≥130℃)和很短的烘烤时间(≤30秒)。它明显地提高了光刻胶的分辨能力、工艺宽容度、热变形温度、抗蚀剂附着力和抗等离子蚀刻性。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 组合 热处理 方法 | ||
【主权项】：
1、在低反射率的基质上制备浮凸图像的方法，包括将一抗反射涂层施加在所述基质上，将重氮萘醌/酚醛清漆光刻胶涂敷在所述抗反射涂层上面，在光化性光线下将光刻胶曝光，烘烤光刻胶涂层，处理涂敷的基质以在该基质上显影图像，该烘烤步骤是通过将基质接触或紧靠着温度不低于130℃的加热的表面不长于30秒的时间而完成的。
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