[发明专利]正性光刻胶组合物的热处理方法无效
| 申请号： | 97192771.5 | 申请日： | 1997-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN1135437C | 公开（公告）日： | 2004-01-21 |
| 发明（设计）人： | R·R·达梅尔;卢炳宏;M·A·斯巴克;O·阿利勒 | 申请（专利权）人： | 克拉里安特国际有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/16 | 分类号： | G03F7/16 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 黄泽雄 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 瑞士;CH |
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| 摘要： | 描述了用于重氮萘醌磺酸酯-酚醛清漆正性光刻胶的快速软烘烤方法，该方法提供了显著的优点。该方法优选在底抗反射涂层上使用比抗蚀剂普通软烘烤较高的温度(≥130℃)和很短的烘烤时间(≤30秒)。它明显地提高了光刻胶的分辨能力、工艺宽容度、热变形温度、抗蚀剂附着力和抗等离子体蚀刻性。如果使用了低反射率的基质或抗反射涂层，在不引起严重的驻波效应的情况下，在光刻工艺中也不需要后曝光烘烤步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 组合 热处理 方法 | ||
【主权项】：
1、在基质上制备立体图像的方法，包括将光刻胶涂敷在基质上，烘烤光刻胶涂层，在光化性光线下将光刻胶曝光，在不使光刻胶涂层进行后曝光烘烤的情况下处理涂敷的基质以在该基质上显影图像，通过将基质接触或紧靠着温度是130℃～160℃的加热表面5～30秒的时间，完成该光刻胶涂层烘烤步骤。
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