[发明专利]具有倾斜PN结的双极型SOI器件及制造这种器件的方法无效
| 申请号： | 97192844.4 | 申请日： | 1997-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN1212787A | 公开（公告）日： | 1999-03-31 |
| 发明（设计）人： | A·利特文;T·安波尔格 | 申请（专利权）人： | 艾利森电话股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/73;H01L21/302;H01L21/84;H01L21/331 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 邹光新,张志醒 |
| 地址： | 瑞典斯*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在一种双极型绝缘体上半导体晶体管器件(1)内,包括位于绝缘体(3)上的半导体晶片例如单晶硅晶片(2)内的发射区(4)、基区(5)、集电区(2)、和集电极接触区(6),基极－发射极和集电极－基极结相对于半导体晶片(2)和绝缘体(3)之间的界面倾斜。通过各向异性刻蚀器件以便在器件的一个边缘制备倾斜的表面(7)或具有倾斜侧壁的等同的V形槽。然后,通过向倾斜侧壁内部的材料中扩散适当的施主或受主原子。制备基极和发射极区域(5,4)。这种双极型绝缘体上的半导体晶体管器件结合的横向半导体器件的高速特性和纵向半导体器件的高压特性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 倾斜 pn 双极型 soi 器件 制造 这种 方法 | ||
【主权项】：
1．一种双极型绝缘体上半导体器件(1)，包括位于绝缘体(3)上的半导体晶片(2)内的发射区(4)、基区(5)和集电区，特征在于基极-发射极结面和集电极-基极结面相对于半导体晶片(2)和绝缘体(3)之间的界面倾斜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于艾利森电话股份有限公司，未经艾利森电话股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/97192844.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：消毒组合物和对表面消毒的方法
- 下一篇：改变无线系统中用户站通信设置的方法
- 同类专利
- 专利分类
