[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 97193991.8 | 申请日： | 1997-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN1110233C | 公开（公告）日： | 2003-05-28 |
| 发明（设计）人： | 中西努;冈本明 | 申请（专利权）人： | 冈村进;池田毅 |
| 主分类号： | H05K9/00 | 分类号： | H05K9/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯,叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于能将包含在基板上形成的电感器导体的半导体芯片对外部给出的磁影响抑制到最小限度。在基板1上安装包含电感器导体的半导体芯片2，在该安装位置的外侧形成多个通孔8。此外，在基板1的芯片安装面一侧、其相对的面一侧和通孔8的内部形成屏蔽部件4，用该屏蔽部件4从基板1的两面覆盖半导体芯片2。由此，从半导体芯片2中形成的电路发生的磁通在屏蔽部件4的内部循环，不漏出到屏蔽部件4的外部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于：包括：半导体芯片，安装在衬底上并包含电感器导体；多个通孔，在所述半导体芯片的安装位置的外侧的所述衬底中形成；以及屏蔽部件，在所述衬底的所述半导体芯片的安装面一侧和对应于所述半导体芯片的安装位置的所述衬底的背面一侧形成，同时充填所述通孔的内部并覆盖所述半导体芯片，进行所述半导体芯片中形成的电路的磁屏蔽。
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