[发明专利]单片多层压电驱动器及其制造方法无效
申请号: | 97194309.5 | 申请日: | 1997-03-10 |
公开(公告)号: | CN1217087A | 公开(公告)日: | 1999-05-19 |
发明(设计)人: | D·克拉梅;H·赫勒布兰德;K·鲁比茨 | 申请(专利权)人: | 西门子公司 |
主分类号: | H01L41/24 | 分类号: | H01L41/24;H01L41/083;C04B35/472 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 马铁良,王忠忠 |
地址: | 联邦德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及一种单片的压电驱动器,它包括一种化学计量的PZT陶瓷,这种陶瓷具有低的A位掺杂、含银和钯的电极层,它在好的压电电气特性时具有改善的机械强度。制造方法不依赖于在陶瓷中的B位掺杂导致最佳的颗粒大小和最佳的压电电气特性,可能得到150℃内的高应用温度的多层压电驱动器。 | ||
搜索关键词: | 单片 多层 压电 驱动器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.以单片多层结构的方法制造一个压电驱动器的方法,-其中为了制造压电陶瓷基膜,从PZT类型的一个化学计量的压电陶瓷粉末出发,附加总共含量为1至5mol%的异价稀有金属的化学计量剩余量,并且附加1-5mol%的铅氧化物的化学计量剩余量,-其中从含银和钯的糊中构成基膜电极层,-其中相互重叠基膜并且接下来胶合,使在一个堆中,得到基膜和电极层的一个交替的序列,-其中在控制烧结条件下如下烧结被胶合的堆:蒸发剩余的铅并且通过从电极层出发的银扩散补偿超化学计量的稀有金属掺杂,-其中在1130℃的最大温度下在氧化气体中进行烧结,-在烧结期间,稳定阶段在最高温度时保持30至120分钟,-其中使用均匀的银掺杂实现化学计量的压电陶瓷层(2)。
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