[发明专利]由导电针阵列屏蔽的半导体器件及制备这种器件的方法无效
| 申请号： | 97194514.4 | 申请日： | 1997-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN1143386C | 公开（公告）日： | 2004-03-24 |
| 发明（设计）人： | T·雅斯塔德;H·诺尔斯特伦 | 申请（专利权）人： | 艾利森电话股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L23/52;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 邹光新;陈景峻 |
| 地址： | 瑞典斯*** | 国省代码： | 瑞典;SE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 采用腐蚀一个进入到衬底(203)的孔，然后，例如靠CVD沉积用金属例如钨填充的方法，来制备从半导体元件(201)表面进入到衬底(203)的低电阻接触(205)。此外，将这样的衬底接触定位在一个元件(201)或一个模块或一组元件的周围很近的距离，获得与位于同一衬底上其它元件或元件模块的良好的电学屏蔽。通过在元件顶部涂敷一个金属层也可以得到垂直方向上的屏蔽。按照这种方式得到的金属栓塞也可以用于半导体结构中的电信号导体的横向屏蔽。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 阵列 屏蔽 半导体器件 制备 这种 器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括安排在衬底表面上的半导体元件和在衬底与在半导体元件上和/或处的表面之间的电学连接，所述电学连接包括多个栓塞，该栓塞的材料具有良好的导电性，其特征在于所述栓塞从所述半导体结构的表面延伸并且向下穿过所述半导体结构，终止于所述衬底的内表面，所述栓塞以至少一行围绕所述半导体元件紧密地设置并与所述半导体元件分开，以对所述半导体元件提供良好的电学屏蔽。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于艾利森电话股份有限公司，未经艾利森电话股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/97194514.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
