[发明专利]薄膜致动反射镜阵列及其制造方法无效

专利信息
申请号: 97195061.X 申请日: 1997-05-20
公开(公告)号: CN1220067A 公开(公告)日: 1999-06-16
发明(设计)人: 闵庸基 申请(专利权)人: 大宇电子株式会社
主分类号: H04N9/31 分类号: H04N9/31;G02B26/08
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 吴静波
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种M×N薄膜致动反射镜(295)阵列(200)包括一有源矩阵(210)和一M×N致动机构(220)阵列。各致动机构(220)包括一第一薄膜电极(292)、一薄膜电致位移元件(275)、一第二薄膜电极(265)、一弹性件(255)、一导管(282)以及一绝缘件(284)。在该阵列中,绝缘件(284)由某种绝缘材料如氧化物或氮化物做成,并形成于导管(282)顶面与第一薄膜电极(292)底面之间,因此减小了在第一薄膜电极(292)和第二薄膜电极(265)之间形成电接触的可能性。
搜索关键词: 薄膜 反射 阵列 及其 制造 方法
【主权项】:
1、一种用于某种光学投影系统的M×N薄膜致动反射镜阵列,其中M和N为整数,该阵列包括:一有源矩阵;以及一M×N致动机构阵列,各致动机构包括一弹性件,其近端的底部支撑在该有源矩阵上从而如悬臂样伸出;一第一薄膜电极,与地电连接从而可兼作反射镜和偏置电极;一第二薄膜电极,一导管,从第二薄膜电极顶面向下延伸到有源矩阵并将后两者电连接,从而使第二薄膜电极成为信号电极;一薄膜电致位移元件,置于第一和第二薄膜电极之间;以及一绝缘件,其中该绝缘件被置于导管顶表面和第一薄膜电极底表面之间,因而使第一和第二薄膜电极电绝缘。
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