[发明专利]使用过渡金属催化剂体系的升压聚合法

摘要

本发明涉及位置靠后过渡金属催化剂体系和它们在聚合方法，特别是含有乙烯的聚合物的溶液聚合、两相悬浮聚合和超临界相聚合中的应用。优选的实施方案包括将一种位置靠后过渡金属催化剂体系在升高的乙烯压力或浓度条件下用于聚合，所述催化剂体系含有一种由一种二齿配位体结构稳定的第9、10或11族金属配位体。

主权项

1.一种乙烯聚合的方法，包括使乙烯和非必须的一种或多种其它烯属不饱和单体与未被载带的过渡金属催化剂体系在0.2×105kPa至3.0×105kPa(200至3000巴)的乙烯压力和等于或大于120℃的反应温度下接触，所述催化剂体系包含由二齿配位体稳定的活化的第8、9、10或11族过渡金属化合物，所述过渡金属化合物由下式表示：????????????????????LMXr其中M是第8、9、10或11族的金属；L是二齿配位体，它由下式表示：其中A是有第13-15族的元素的桥基；各E独立为共价键合到M上的第15或16族元素；各R独立为有基或双基的C1-C30，所述基或双基为烃基、取代的烃基、卤化碳基、取代的卤化碳基、烃基取代的有机准金属、卤化碳基取代的有机准金属，m和n独立为1或2，这取决于E的化合价；和p是二齿配位体的电荷，该电荷使得MXr的氧化态被满足；各X独立地为氢化物基、烃基、取代的烃基、卤化碳基、取代的卤化碳基、烃基取代的有机准金属或卤化碳基取代的有机准金属；或者两个X连接并键合到金属原子上以形成有2至20个碳原子的金属环；含有供体配位体的中性的烃基；卤素、烷氧化物、芳氧化物、酰胺、磷化物或者其它单价的阴离子配位体；或者两个X连接形成阴离子螯合配位体；或者含有供体配位体的中性的非烃基原子；并且r为0，1，2，或3。