[发明专利]光掩模坯无效
申请号: | 97196087.9 | 申请日: | 1997-06-30 |
公开(公告)号: | CN1124519C | 公开(公告)日: | 2003-10-15 |
发明(设计)人: | R·H·弗伦奇;K·G·夏普 | 申请(专利权)人: | 纳幕尔杜邦公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 卢新华,周慧敏 |
地址: | 美国特拉华*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 透射衰减嵌入相移光掩模坯包括至少一种聚合物材料,优选为一种无定形含氟聚合物,或一种掺有氟功能化的有机硅烷的无定形含氟聚合物,和有机硅酸酯,或其组合,此聚合物材料具有:a)在所选择的平版印刷波长在400nm以下时的折射率(n)范围在1.2~2.0,优选在1.26~1.8的范围;和(b),在所选择的平版印刷波长在400nw以下时的消光系数(k)范围在0.04~0.8,优选在0.06~0.59的范围。 | ||
搜索关键词: | 光掩模坯 | ||
【主权项】:
1.一种聚合物的透射衰减嵌入相移器光掩模坯,包括至少一种具有下列指数的聚合物材料:(a)、在所选平版印刷波长在400nm以下时,折射率范围为1.2~2.0;和(b)、在所选平版印刷波长在400nm以下时,消光系数(k)范围为0.04-0.8;其中所述聚合物材料选自:i)一种含有一种发色团的无定形含氟聚合物;ii)含有芳基的有机硅酸酯;所述有机硅酸酯由无机硅酸酯、有机硅酸酯或其混合物所稀释;和iii)i)和ii)的混合物;其前提条件是当有机硅酸酯中所含的芳基是苯基时,所选的波长是193nm。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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