[发明专利]稳定的多晶硅电阻器和制造它的方法无效
| 申请号： | 97197118.8 | 申请日： | 1997-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN1134792C | 公开（公告）日： | 2004-01-14 |
| 发明（设计）人： | U·史密斯;M·赖德贝里 | 申请（专利权）人： | 艾利森电话股份有限公司 |
| 主分类号： | H01C7/00 | 分类号： | H01C7/00;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 邹光新;陈景峻 |
| 地址： | 瑞典斯*** | 国省代码： | 瑞典;SE |
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| 摘要： | 一种电阻器具有多晶硅电阻器主体(11)和安装在电阻器主体(11)上和/或电阻器主体(11)内的电端子(23、15)。电阻器部分(13)形成在端子之间给出电阻器电阻。电阻器主体的材料掺杂如硼。为封闭晶界的未饱和硅键至足够程度并使电阻器产生很好的持久稳定性，氟原子添加到该材料中。它们的浓度高至使所有未饱和键与氟原子耦合。而且，在制造电阻器期间使浓度保持原有高值。当离子注入掺杂剂和氟原子时，可在注入掺杂剂之后高温下进行退火，然后在随后注入氟之后在低温下进一步退火来完成。 | ||
| 搜索关键词： | 稳定 多晶 电阻器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造具有多晶硅电阻器主体的电阻器的方法，包括步骤：-产生多晶硅主体；-用至少一种掺杂剂掺杂多晶硅材料，以得到电阻器所要的电阻；-设置主体的电端子，-添加浓度至少为2×1019厘米-3的氟原子到电阻器主体，使得在多晶硅材料晶界处的原本未饱和键被封闭到电阻器部分的电阻在时间上基本恒定的程度。
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