[发明专利]腐蚀半导体晶片的方法和装置无效
| 申请号： | 97197232.X | 申请日： | 1997-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN1148789C | 公开（公告）日： | 2004-05-05 |
| 发明（设计）人： | 斯蒂芬·P·德奥尼拉斯;艾尔弗德·科弗;帕里托什·雷乔拉 | 申请（专利权）人： | 泰格尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 黄敏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种使用物理腐蚀和化学腐蚀工艺两步骤的腐蚀半导体晶片(40)以便产生高密度DRAM和FRAM要求的垂直侧壁(20)的方法和装置(6)。 | ||
| 搜索关键词： | 腐蚀 半导体 晶片 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种腐蚀晶片的方法，包括步骤：物理地腐蚀然后化学地腐蚀该晶片上的膜，以便得到带有垂直的侧壁外形的晶片结构，其中，物理腐蚀的步骤中的压力高于化学腐蚀步骤中的压力。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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