[发明专利]等离子体腐蚀反应器和方法

摘要

一种等离子体腐蚀反应器(20)包括上电极(24)、下电极(28)、设置在其间的周边环电极(26)。上电极(24)接地，周边电极(26)由高频AC电源供电，而下电极(28)由低频AC电源和DC电源供电。反应室(22)构成有气体物质的固体源(50)和突出挡板(40)。喷嘴(36)提供处理气体的气流，以便保证处理气体在半导体晶片(48)表面的均匀性。等离子体腐蚀反应器(20)的构型增大了反应室(20)中的等离子体密度范围，通过调节多个电源(30、32)可以选择该范围。

主权项

1.一种等离子体腐蚀反应器，用于腐蚀晶片，特别用于各向异性地腐蚀晶片上的特征，包括：反应室；第一电极；第二电极；其中，用第一电极和第二电极之间的处理气体产生等离子体；气体物质的固体源，用于钝化晶片上的垂直表面，以便提高各向异性腐蚀；其中所述固体源覆盖所述第一电极；高频电源，该高频电源与所述第一电极连接；以及控制器，用于控制由高频电源提供给所述第一电极的电能，以便控制该气体物质从固体源的生成率。