[发明专利]微力学传感器

摘要

本发明涉及一种微力学传感器，其中，在一种衬底的体硅层(3)上设置了膜片层(5)。在衬底的背面上有一个缺口(9)，该缺口通过体硅层中的各开口(10)与膜片和体硅层之间的空腔(6)相连。因此，当膜片层(5)偏移时，通过这些开口(10)可以实现空腔中的压力平衡。通过定量掺杂的膜片层(5)和在体硅层(3)中构成的掺杂区(8)的电气连接(12，13)电容性地进行测量。

主权项

1.在带有体硅层(3)、绝缘层(2)和块状硅层(1)的SOI衬底上的微力学传感器，其特征在于，-一个间隔层(4)存在于体硅层上，而在此间隔层上存在一个膜片层(5)，-为了构成一个膜片在此间隔层中存在一个空腔(6)，以致于在膜片层的形成此膜片(7)的一个区域中去除了此间隔层，-在形成膜片的区域的至少一个部分中导电地构成了此膜片层，或者此膜片层是用一个导电层配备的，并且存在着电气连接用的一个所属的接点(12)，-在体硅层中膜片的针对各层平面的垂直的投影图中构成了一个掺杂区(8)，并且存在着一个电气连接用的所属接点(13)，-在膜片的针对各层平面垂直的投影图中去除了绝缘层的材料和块状硅层的材料，使得在那里存在一个缺口(9)，并且-在膜片的针对各层平面垂直的投影图中体硅层具有使空腔与缺口连接的各开口(10)。