[发明专利]具有线性电流电压特性的半导体元件无效
| 申请号： | 97198000.4 | 申请日： | 1997-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN1130776C | 公开（公告）日： | 2003-12-10 |
| 发明（设计）人： | A·瑟德贝尔格;A·里特温 | 申请（专利权）人： | 艾利森电话股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 邹光新,陈景峻 |
| 地址： | 瑞典斯德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 公开了一种半导体器件，得到穿过坐标原点的线性电流电压特性及双向结构。通常器件含有p-掺杂的衬底(10)顶上的氧化层(20)。在所述氧化层的顶上为形成纵向n漂移区的n型漂移区(30)。n漂移区包括在每端的轻掺杂的p型阱(32)，p型阱(32)有重掺杂的p+半导体材料、接触源或漏电极(35)的部分(31)。每个p型阱(32)附加地含有n+区(33)和附加在所述p型阱顶上的栅电极(34)，由此n+掺杂区(33)分别定位在栅和漏电极或栅和源电极之间的p阱(32)内。由此形成具有共用漂移区的双向双DMOS结构。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 线性 电流 电压 特性 半导体 元件 | ||
【主权项】：
1.一种具有线性电流-电压特性的半导体器件，包括在一个衬底顶上的绝缘层和在所述绝缘层顶上的n型漂移区；在所述n型漂移区的每一端形成构成p阱的低掺杂的p型区域，在所述p阱的一端具有形成源区的重掺杂的n+区，在所述p阱的另一端具有形成漏区的重掺杂的n+区；所述p阱还包括至少部分p+掺杂的半导体材料，在所述p阱的顶上还有栅电极，所述n+区的一端被放置在栅电极和漏电极之间的p阱内，而所述n+区的另一端被放置在栅电极和源电极之间的p阱内；由此形成具有共用的n型漂移区的双向双DMOS结构。
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