[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 97198006.3 | 申请日： | 1997-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN1161837C | 公开（公告）日： | 2004-08-11 |
| 发明（设计）人： | 三浦英生;北野诚;池田修三;铃木范夫 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在具有沟槽隔离结构的半导体器件中，在用常规方法选择氧化沟槽结构之后，再次氧化衬底的整个表面，同时只有衬底或沟槽表面的氧化膜暴露出来，并给沟槽上端部附近的氧化膜的形状提供曲率半径。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：(a)在半导体衬底的电路形成表面上形成氧化防止膜；(b)在所述半导体衬底电路形成表面的预定位置上形成所需深度的沟槽，所述沟槽具有与所述半导体衬底的电路形成表面相邻的上端部；(c)氧化形成在所述半导体衬底中暴露的沟槽部分；(d)把掩埋绝缘膜掩埋进这样氧化的所述沟槽中；(e)掩埋进所述掩埋绝缘膜之后，去掉形成在所述氧化防止膜上的所述掩埋绝缘膜；(f)去掉所述掩埋绝缘膜之后，将衬里沟槽的半导体衬底部分以外的所述沟槽上端部处的所述半导体衬底部分氧化，在所述沟槽上端部提供曲率； (g)去掉形成在所述半导体衬底上的所述氧化防止膜；以及(h)去掉所述氧化防止膜之后，形成栅氧化膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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