[发明专利]耐蚀永磁体及其制备方法有效
| 申请号： | 97198134.5 | 申请日： | 1997-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN1138285C | 公开（公告）日： | 2004-02-11 |
| 发明（设计）人： | 菊井文秋;池上雅子;吉村公志 | 申请（专利权）人： | 住友特殊金属株式会社 |
| 主分类号： | H01F1/08 | 分类号： | H01F1/08;H01F41/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种即使在磁体经过盐水喷刷耐久实验时其初始磁性能也难以降低并且具有稳定的磁学性能、稳定的高耐磨性和稳定的耐腐蚀性的R-Fe-B永磁体以及制造该磁体的方法。在通过例如离子溅射法清洗该永磁体的表面以后，通过在N2中离子镀等薄膜形成方法在磁体表面上形成Al膜作为中间层，在该中间层的表面形成AlN、TiN、或Ti1-xAlxN膜，通过在N2中的离子反应镀等薄膜形成方法形成Ti1-xAlxN膜。由于作为中间层形成的Al膜的用作永磁体和基础Ti涂层的消耗薄膜，明显改善了Ti膜与磁体和Al膜的结合性。 | ||
| 搜索关键词： | 永磁体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种表现出优异的抗盐水喷刷性的耐蚀永磁体，其中：在R-Fe-B磁体表面上，具有作为基础涂层的Ti涂层、作为中间层的Al涂层；以及作为最外层的TiN涂层、或AlN涂层、或Ti1-xAlxN涂层，0.03＜x＜0.70，所述的作为基础涂层的Ti涂层的厚度为0.1μm以上；所述的作为中间层的Al涂层的厚度为0.1μm以上；所述的作为最外层的TiN涂层、AlN涂层、或Ti1-xAlxN涂层的厚度为0.5μm以上。
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