[发明专利]高压半导体元件

摘要

本发明公开了一种具有扩展漂移区的高频MOS晶体管结构，它能调制MOS晶体管漂移区中的电阻。用额外的半导体层在薄栅氧化层上形成第二MOS结构来得到扩展栅层。由此电场均匀地横向分布在扩展漂移区中。用这种设计可以制造短沟道长度、有低掺杂浓度的扩展漂移区、还有非常低的导通电阻以及高击穿电压的MOS晶体管。

主权项

1.一种形成高压MOS晶体管结构的器件，包括具有n-掺杂半导体层(21)和p掺杂本体(22)的一个衬底(20，50)，所述n-半导体层(21)有第一n+掺杂漏区(23)，所述p掺杂本体(22)包含一个第二n+掺杂区(24)和用于形成源区的一个第一p+掺杂区(25)，所说n-掺杂成在所说源区与漏区之间形成一个漂移沟道，其中在所说漂移沟道顶部有绝缘栅氧化层(26)，所述绝缘栅氧化层上有一个半导体层，该半导体层与所述绝缘栅氧化层一起形成扩展栅层，其中所述扩展栅层还包括一个p-掺杂区(31)、一个第二p+掺杂区(33)和一个第三n+掺杂区(34)，以在所述绝缘栅氧化层上形成一个MOS结构。