[发明专利]高－ε－介电层或铁电层的制造方法有效
| 申请号： | 97198370.4 | 申请日： | 1997-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN1111903C | 公开（公告）日： | 2003-06-18 |
| 发明（设计）人： | W·哈特纳;G·欣德勒;R·布鲁赫豪斯;R·普里米格 | 申请（专利权）人： | 西门子公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 马铁良,王忠忠 |
| 地址： | 联邦德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本方法是一种多道工序的方法。其中，第一道工序是：在低温下溅射层件；在第二道工序中，在惰性气体气氛中，于中温或者高温下进行RTP工序；在第三道工序中，在含氧气氛中，在低温或中温下，对层件进行退火处理。温度负荷明显小于普通的方法。采用这种方法制造集成储存器件时，可以防止敷设在下方的阻挡层氧化。 | ||
| 搜索关键词： | 介电层 铁电层 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.在一载体(1至9)上制造高-ε-介电层或铁电层的方法，具有下列工序：1)在低于500℃的低的T1温度下溅射层件(10)，2)在一种惰性气体中，在500-900℃的温度范围内的T2温度下进行一道RTP工序，3)在一种含氧气氛中，在200-600℃的温度范围内的T3温度下，对层件(10)进行退火。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西门子公司，未经西门子公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/97198370.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：惯性台试检测汽车功率方法
- 下一篇：气提与光催化氧化处理污水的装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
