[发明专利]用于集成电路的半导体构件及其制造方法有效
| 申请号： | 97198371.2 | 申请日： | 1997-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN1143398C | 公开（公告）日： | 2004-03-24 |
| 发明（设计）人： | W·哈特纳;G·欣德勒;C·马祖雷－埃斯佩佐 | 申请（专利权）人： | 西门子公司 |
| 主分类号： | H01L29/92 | 分类号： | H01L29/92;H01L21/8242;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 马铁良;王忠忠 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及供集成电路使用的半导体构件，其中设在绝缘层(2)中的一个叠层件备有一个用插头(1)填实的接触孔(8)，在孔的上面备有一个电容器，其中有一个面对插头(1)的下电极(5)，一层顺电、或铁电材料的电介体(6)以及一个上电极(7)。在插头(1)和下电极(5)之间有一层用氮化硅法兰(4)围住的阻挡层(3)，氮化硅层用于防止阻挡层(3)遭受氧化。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 集成电路 半导体 构件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.用于集成电路的半导体构件，其中，一个叠层件在一层绝缘层(2)中有一个用填充材料或者填料(1)填充的接触孔(8)，在接触孔上面有一个电容器，电容器有一个面对填充材料(1)的电极(5)、一个可以是超顺电的、顺电的或铁电的电介质(6)和一个上电极(7)，其中，在填充材料(1)和下电极(5)之间有一阻挡层(3)，后者完全被由氮化硅构成的区域围住，其特征在于，在接触孔(8)中的阻挡层(3)敷设在填充材料(1)上，氮化硅区域是由在绝缘层(2)上面敷设的氮化硅层(4)构成的，氮化硅层(4)与接触孔(8)邻接并且另一氮化硅层(16)是在接触孔的壁上构成的，并且在一个由阻挡层(3)和氮化硅层(4)构成的平面上设有下电极(5)、电介质(6)和上电极(7)。
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