[发明专利]凸点的形成方法和半导体装置无效
申请号: | 97199490.0 | 申请日: | 1997-10-29 |
公开(公告)号: | CN1153266C | 公开(公告)日: | 2004-06-09 |
发明(设计)人: | 冈本明 | 申请(专利权)人: | 新潟精密株式会社 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 杨凯;叶恺东 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的目的在于用简单的工序来形成所希望的尺寸和形状的凸点。在印刷布线板1上以与半导体芯片5上的焊区6相同的间隔形成了焊区2后,用抗蚀剂3覆盖除了焊区形成区域之外的印刷布线板1的上表面。其次,使印刷布线板1被抗蚀剂3覆盖的面朝下,从其下方喷射熔融焊锡。熔融焊锡只附着于印刷布线板1的焊区形成面上,受到重力的作用而形成理想的半球状的凸点4。形成了凸点4的印刷布线板1在与半导体芯片5的焊区6进行了位置重合后,通过高温炉。由此,凸点4熔化,通过凸点4使半导体芯片5与印刷布线板1接合。 | ||
搜索关键词: | 形成 方法 半导体 装置 | ||
【主权项】:
1.一种凸点的形成方法,该方法被用于形成连接在第1和第2基板这两者上被形成的焊区的凸点,其特征在于,包括:用抗蚀剂覆盖除了凸点形成区域之外的上述第1基板的上表面的工序;以及使上述第1基板的用抗蚀剂覆盖的面朝下、从其下方朝向被上述抗蚀剂覆盖的面调整喷射量喷射导电性材料、在上述第1基板上的焊区形成区域中形成大致半球状的凸点的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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