[发明专利]半导体集成电路器件及其制造方法无效
| 申请号： | 97199501.X | 申请日： | 1997-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN1150628C | 公开（公告）日： | 2004-05-19 |
| 发明（设计）人： | 石塚裕康;奥山幸佑;久保田胜彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所;日本超大规模集成电路系统株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/87 | 分类号： | H01L29/87;H01L27/04 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 为了消除由于加于外部端子上的过电压的极性造成的抗ESD性的差异，提高半导体集成电路器件对于正和负过压的抗ESD性，在外部端子和地电位之间，设置具有晶闸管结构的保护元件，用于保护内部电路不受正过压影响，提供由二极管D1构成的保护元件，保护内部电路不受负过压影响。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体集成电路器件，包括：电连接在外部端子和地电位之间、具有晶闸管结构的保护元件，所说保护元件设置在半导体衬底上；及用作保护元件的二极管，其电连接在所说外部端子和地电位之间，以便在负过压加到所说外部端子上时，所说二极管正向连接；其中具有晶闸管结构的所说保护元件包括：第一半导体区、第二半导体区、第三半导体区、第四半导体区和第五半导体区；所说第一半导体区具有第一导电类型，并形成在所说半导体衬底上；所说第二半导体区具有第一导电类型并形成在所说半导体衬底上，以便与所说第一半导体区隔开并电连接到地电位上；所说第三半导体区具有与所说第一导电类型相反的第二导电类型，并形成在所说半导体衬底上，位于所说第一半导体区和所说第二半导体区之间；所说第四半导体区具有所说第一导电类型，形成在所说第一半导体区内并电连接到所说外部端子上；所说第五半导体区具有所说第二导电类型，形成在所说第一半导体区内并电连接到所说外部端子上；其中，所说二极管具有所说第二导电类型的第八半导体区，形成在所说第一半导体区内并电连接到地电位上。
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