[发明专利]钛酸钡系半导体瓷器组合物

摘要

本发明提供了通过提高耐涌流特性，可使热敏电阻元件小型化的钛酸钡系半导体瓷器组合物。钛酸钡系半导体瓷器组合物的主成分BaTiO3中一部分Ba被1～25摩尔％的Ca、1～30摩尔％的Sr和1～50摩尔％的Pb取代；对应于100摩尔％主成分，添加了0.2～1.0摩尔％半导体化试剂；作为添加剂的锰换算成Mn的添加量为0.01～0.10摩尔％，硅石换算成SiO2的添加量为0.5～5摩尔％，镁换算成Mg的添加量为0.0028～0.093摩尔％；前述半导体化试剂为选自Y、La、Ce、Nb、Bi、Sb、W、Th、Ta、Dy、Gd、Nd、Sm的至少一种元素。

主权项

1.一种钛酸钡系半导体瓷器组合物，其特征在于，以钛酸钡或其固溶体为主成分，还添加含有半导体化试剂和添加剂的钛酸钡系半导体瓷器组合物中，前述主成分BaTiO3中一部分Ba被1～25摩尔％的Ca、1～30摩尔％的Sr和1～50摩尔％的Pb取代；对应于100摩尔％前述主成分，前述半导体化试剂换算成元素的添加量为0.2～1.0摩尔％；作为前述添加剂的氧化锰换算成Mn的添加量为0.01～0.10摩尔％，硅石换算成SiO2的添加量为0.5～5摩尔％，氧化镁换算成Mg的添加量为0.0028～0.093摩尔％；前述半导体化试剂为选自Y、La、Ce、Nb、Bi、Sb、W、Th、Ta、Dy、Gd、Nd、Sm的至少一种元素。