[实用新型]宽光谱范围的异质结光晶体管无效
| 申请号： | 97200383.5 | 申请日： | 1997-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN2290115Y | 公开（公告）日： | 1998-09-02 |
| 发明（设计）人： | 孙成城;何淑芳;江剑平 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L31/109 | 分类号： | H01L31/109 |
| 代理公司： | 清华大学专利事务所 | 代理人： | 廖元秋 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及铟磷系异质结光晶体管,它由封装成一体的管座、管帽,安装在管座上的管芯和安装在管帽上的耦合透镜所组成,其特征在于所说的管芯侧面与所说的透镜准直。本实用新型对异质结光晶体管结构进行改进,使其扩宽了光谱范围,且具有结构简单,制作容易等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 光谱 范围 异质结光 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种宽光谱范围的异质结光晶体管，由封装成一体的管座、管帽，安装在管座上的管芯和安装在管帽上的耦合透镜所组成，其特征在于所说的管芯侧面与所说的透镜准直。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
