[实用新型]生产核径迹膜的连续蚀刻装置无效

专利信息
申请号: 97219075.9 申请日: 1997-06-27
公开(公告)号: CN2307429Y 公开(公告)日: 1999-02-10
发明(设计)人: 张泉荣;严玉顺;万春荣;姜长印 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: H05H3/00 分类号: H05H3/00
代理公司: 清华大学专利事务所 代理人: 罗文群
地址: 10008*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 实用新型涉及一种生产核径迹膜的连续蚀刻装置,该装置将需要蚀刻的薄膜缠绕在送膜轴上,从送膜轴上拉出的薄膜经紫外光源照射后依次通过蚀刻槽、水洗槽、酸洗中和槽、无离子水清洗槽和烘干槽,最后缠绕在收膜轴上。本连续蚀刻装置可用于核反应堆或重离子加速器制造的核径迹膜的蚀刻,连续操作,自动控制,每小时可生产孔径在0.1~10.0μ之间的核径迹蚀刻膜10~400米。
搜索关键词: 生产 径迹 连续 蚀刻 装置
【主权项】:
1、一种生产核径迹膜的连续蚀刻装置,其特征在于该连续蚀刻装置由紫外光源、蚀刻槽、水洗槽、酸洗中和槽、无离子水清洗槽和烘干槽组成;需要蚀刻的薄膜缠绕在送膜轴上,从送膜轴拉出的薄膜经紫外光源照射后依次通过蚀刻槽、水洗槽、酸洗中的槽、无离子水清洗槽和烘干槽,最后缠绕在收膜轴上;所述的蚀刻槽、水洗槽、酸洗中和槽、无离子清洗槽和烘干槽内设有支撑轴,每两槽之间设有驱动轴。
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