[实用新型]一种自补给汞源装置无效
| 申请号： | 97234654.6 | 申请日： | 1997-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN2294966Y | 公开（公告）日： | 1998-10-21 |
| 发明（设计）人： | 俞振中;马可军;何进;沈寿珍;许平 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | C30B35/00 | 分类号： | C30B35/00 |
| 代理公司： | 上海华东专利事务所 | 代理人： | 高毓秋 |
| 地址： | 200083*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种MOCVD技术生长碲镉汞薄膜材料用的自补给汞源装置。其主体为一个具有双池的石英器皿,一池在加热时产生汞蒸汽,另一为贮汞池,二者由小管相通。热电偶插至蒸发汞舟中部的石英热偶管内以精确控温。贮汞池的汞液通过固定在不锈钢外套的管道加入,十分方便。本装置具有汞舟汞液自补给和过滤功能,具其控温精确,汞面可直接观察。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 补给 装置 | ||
【主权项】：
1、一种自补给汞源装置，舟体由石英制作，其特征在于：具有蒸发汞舟(2)和贮汞池(8)双池结构，双池底部由石英细管(7)连通，中间由石英气室(5)隔开，双池的上部连有一体的顶蓬(3)；在二池之间石英气室上部与顶蓬之间形成狭小的隘口(6)；在双池结构的二端近上部各置有通口，在贮汞池外端置有加汞管道相接的供汞通口(9)，在蒸发汞舟外端具有供汞蒸汽通向生长区的汞蒸汽通口(1)；在双池结构的纵向中部密封有一根供安放热电偶的自生长腔外顺序贯穿贮汞池、石英气室后通到蒸发汞舟中部的热偶石英管(4)。
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