[发明专利]制作用于电子束绘图的电子束掩模的方法和制作该掩模的装置无效
| 申请号： | 98100057.6 | 申请日： | 1998-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN1133201C | 公开（公告）日： | 2003-12-31 |
| 发明（设计）人： | 田村贵央;山下浩;中岛谦;野末宽 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明是一种生成用于电子束图像刻绘的EB掩模的方法，包括从存储在存储装置中的设计数据中抽取用于成形在EB掩模上的图形的步骤；利用包含在所抽取的单元内的设计数据计算在EB掩模中所需要的一个孔隙片段的一个孔隙面积的步骤；利用该孔隙面积的值产生用于孔隙生成的单元数据的步骤；和利用该用于孔隙生成的单元数据在EB掩模中生成一个基本孔隙图形的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 用于 电子束 绘图 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种生成用于电子束图像刻绘的EB掩模的方法，其特征在于包括如下步骤：从存储在存储装置中的设计数据中抽取一个包含一个用于在EB掩模上成形的图形的单元；利用包含在所抽取的单元内的设计数据计算在EB掩模中所需要的一个孔隙片段的一个孔隙面积；利用该孔隙面积的值产生用于孔隙生成的单元数据；和利用该用于孔隙生成的单元数据在EB掩模中生成一个基本孔隙图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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