[发明专利]半导体集成电路器件

摘要

一种具有SOI结构的半导体集成电路器件，其减小了接线的芯片面积。它包括在绝缘基片上形成的半导体层。此半导体层有沿第一方向扩展的第一区和沿第一方向扩展的第二区，它们彼此相邻。第一导电型第一绝缘栅场效应晶体管是在半导体层第一区中形成。与第一导电型相对的第二导电型第二绝缘栅场效应晶体管是在半导体层的第一区中形成。第二绝缘栅场效应晶体管源极/漏极区之一由第一互连扩散区与第一绝缘栅场效应晶体管源极/漏极区之一电连接。

主权项

1.一种半导体集成电路器件，其特征在于其包括：(a)一半导体层，其在绝缘基片上形成；所说的半导体层有沿第一方向扩展的第一区，以及沿第二方向扩展的第二区；所说的第一和第二区是彼此相邻的；(b)P或N型中的一种导电型的第一绝缘栅场效应晶体管，其在所说半导体层的所说第一区中形成；所说第一绝缘栅场效应晶体管有一第一对源极/漏极区；(c)P或N型中的另一种导电型的第二绝缘栅场效应晶体管，其在所说半导体层的所说第一区中形成，第二导电型与第一导电型相反；所说第二绝缘栅场效应晶体管有一第二对源极/漏极区；所说第二对源极/漏极区之一是由一第一互连扩散区，与所说第一对源极/漏极区之一电连接；以及(d)一所说P或N型中的一种导电型的第三绝缘栅场效应晶体管，其在所说半导体层的所说第二区中形成；所说第三绝缘栅场效应晶体管有一第三对源极/漏极区；所说第三对源极/漏极区之一是由一第二互连扩散区，与所说第二对源极/漏极区之一电连接。