[发明专利]半导体器件中的互连系统无效
| 申请号： | 98100187.4 | 申请日： | 1998-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN1189692A | 公开（公告）日： | 1998-08-05 |
| 发明（设计）人： | 约翰·马克·德赖兰 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中科专利代理有限责任公司 | 代理人： | 卢纪 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件中的互连系统包括有一层TiO2N膜,它与TiN膜相比具有较低的电阻率和在较高温度下的较高热稳定性。Ti2N膜是通过对连续形成在绝缘膜上的一层TiN膜和一层Ti膜进行快速热退火形成的。快速热处理是在700至900℃的基片温度下在氮气氛中进行30至120秒钟。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 中的 互连 系统 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，它包括一片半导体基片、一层覆盖着所述半导体基片的绝缘膜、以及形成在所述绝缘膜上并包含一层Ti2N膜在内的一个互连图形。
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