[发明专利]半导体存储器件无效
| 申请号： | 98100465.2 | 申请日： | 1998-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN1195866A | 公开（公告）日： | 1998-10-14 |
| 发明（设计）人： | 杉林直彦 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | G11C21/00 | 分类号： | G11C21/00;G11C11/34 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体存储器件,其中减少了由于存在缺陷位线所致的存储区域。在双字线系统的DRAM中,当在某个块中存在缺陷字线103时,仅有缺陷位线103所属的块的右或左部分中的存储区域104无效,另一侧上的区域有效。在这种情况中,借助地址转换电路,通过转换行地址的最高位和列地址的最高位,构成有效存储区组。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器件，包括主字线、每个由所述主字线激活的第一和第二存储区、激活指示所述第一和第二存储区中至少一个有缺陷的第一信号的第一电路、激活指示所述第一存储区有缺陷的第二信号的第二电路、激活指示所述第二存储区有缺陷的第三信号的第三电路，以及当所述第一和第二信号中一个被激活时使所述第一存储区无效并且当所述第一和第三信号中的一个被激活时使所述第二存储区无效的电路。
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