[发明专利]离子注入过程模拟装置和模拟方法

摘要

本发明装置包括根据离子注入剖面数据制成DualPearson数据表的DualPearson数据抽出部;从DualPearson数据表取得用于剂量系数的内插和外插参数的内插用DualPearson数据取得部;剂量系数内插/外插部,通过分别代表非晶态成分和沟道效应成分的两个函数的线性结合来表述离子注入剖面,同时,使用不依赖于剂量的瞬间参数和依赖于剂量的线性结合的系数,使沟道效应成分剂量系数的对数值对全剂量值的对数值进行内插和外插;输出模拟结果的模拟结果输出部。

主权项

1.一种离子注入过程模拟装置，进行对半导体器件的离子注入过程模拟，以进行对离子注入剖面的必要的内插和外插，包括下列部分：数据抽出装置(10)，从离子注入剖面数据中取出分别代表非晶态成分和沟道效应成分的两个标准化的函数中的投影范围、偏差、偏斜度、峰态等各个瞬间参数以及非晶态成分剂量值系数、沟道效应成分剂量值系数，来制作数据表(11)；内插用数据取得装置(20)，从由上述数据抽出装置(10)所制作的上述数据表(11)来取得用于剂量系数的内插和外插的参数；剂量系数内插/外插装置(30)，在由上述内插用数据取得装置(20)所取得的参数中，使用分别代表非晶态成分、沟道效应成分的两个标准化的函数和与该两个函数相对应的非晶态成分剂量系数及沟道效应成分剂量系数，通过该两个函数的线性结合来表述半导体晶体衬底中的离子注入剖面，同时，在表述由使用者所指定的剂量值的上述离子注入剖面时，使用多个剂量值中的不依赖于从离子注入剖面所抽出的剂量的瞬间参数和依赖于剂量的上述线性结合的系数，使上述沟道效应成分剂量系数的对数值对全剂量值的对数值进行内插和外插；模拟结果输出装置(40)，输出由上述剂量系数内插/外插装置(30)而对剂量系数进行内插和外插的模拟结果。