[发明专利]半导体器件成膜方法无效
| 申请号： | 98100527.6 | 申请日： | 1998-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN1226079A | 公开（公告）日： | 1999-08-18 |
| 发明（设计）人： | 黄喆周 | 申请（专利权）人： | 黄喆周 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/314;C23C16/00 |
| 代理公司： | 隆天国际专利商标代理有限公司 | 代理人： | 潘培坤 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种为半导体器件成膜的方法,采用乙硅烷(Si2H6)进行化学气相淀积,尽管是在较低温度下淀积成膜,仍可改进薄膜的淀积速度和分步覆盖,提高了半导体器件的生产率和可靠性。采用Si2H6和N2O或Si2H6和O2制作氧化膜;采用Si2H6和NH3制作氮化膜;采用Si2H6,N2O,以及NH3制作氧氮化膜;采用Si2H6,O2以及磷化氢,或四甲基原亚磷酯制作磷硅玻璃膜;采用Si2H6,O2,乙硼烷或四甲基原硼酯,以及磷化氢或四甲基原亚磷酯制作硼磷硅玻璃膜。本发明的方法的适用的设备系统有常压化学气相淀积系统,低压化学气相淀积系统,以及等离子体化学气相淀积系统。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1，一种加工方法，即将半导体基片放进一个化学气相淀积设备的反应室内，反应室保持在预定的压力和温度，从而在半导体基片上生成薄膜，一种采用乙硅烷作为主要材料气体的为半导体器件成膜的方法。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
