[发明专利]频率补偿的二极管衰减器无效
申请号: | 98100730.9 | 申请日: | 1998-03-12 |
公开(公告)号: | CN1155238C | 公开(公告)日: | 2004-06-23 |
发明(设计)人: | 皮埃尔·多布罗沃尔尼 | 申请(专利权)人: | LG电子株式会社 |
主分类号: | H04N5/455 | 分类号: | H04N5/455 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 余朦 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 一种在50至800MHz频带中的信号衰减器受AGC信号衰减电位的范围支配,包括一个串联在一输入端和一输出端之间的第一衰减PIN二极管,其相对端经第二和第三阻抗匹配PIN二极管交流耦合到交流地电位。第一PIN二极管在宽信号频带上和AGC范围呈现一频率相关斜率。金属箔带形式的第一和第二电感器连接在第二和第三PIN二极管与交流地电位之间。箔带相互靠近设置并排列,以使信号电流在其中以相反方向流动以建立用于补偿第一PIN二极管的频率相关斜率的负性互耦合系数。 | ||
搜索关键词: | 频率 补偿 二极管 衰减器 | ||
【主权项】:
1.一种用于变换一个频带的高频信号的宽带衰减器,所述衰减器受AGC信号衰减电位的范围支配,包括:一个输入端和一个输出端;一个串联在所述输入端和所述输出端之间的第一PIN二极管,所述第一PIN二极管在所述频带上和所述AGC范围呈现一频率相关斜率;耦合到所述第一PIN二极管相对端的一个第二和一个第三PIN二极管;用于建立交流地电位的装置;和将所述第二PIN二极管的阴极和所述第三PIN二极管的阳极分别耦合到所述交流地电位,以便针对所述频率相关斜率补偿所述第一PIN二极管的补偿装置,所述补偿装置包括:将所述阴极和所述阳极分别耦合到所述交流地电位的第一组电感器和第二组电感器,所述第一组电感器由第一电感器(L2A)和第二电感器(L2B)组成,所述第二组电感器由第三电感器(L3A)和第四电感器(L3B)组成,其中,所有的电感器(L2A,L2B,L3A,L3B)都以金属箔的形式处在印刷电路板的相对侧上,沿箔长度方向相互靠近设置这些箔并且相互重叠,第一电感器(L2A)和第二电感器(L2B)以及第三电感器(L3A)和第四电感器(L3B)被分别以一种使信号电流以相反方向流经这些电感器的方式连接,以获得在所述第一组电感器和所述第二组电感器之间的负性互耦合系数。
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