[发明专利]场效应晶体管无效
| 申请号： | 98100840.2 | 申请日： | 1998-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN1155099C | 公开（公告）日： | 2004-06-23 |
| 发明（设计）人： | 田边充 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 场效应晶体管是在铁掺杂的半绝缘性铟磷衬底上，顺次层叠由未掺杂铟0.52铝0.48砷构成的第一缓冲层，具有未掺杂铟0.52铝0.48砷和未掺杂铝0.25镓0.75砷的超晶格结构的第二缓冲层，由未掺杂铟0.52铝0.48砷构成的第三缓冲层，由未掺杂铟0.53镓0.47砷构成的沟道层，由未掺杂铟0.52铝0.48砷构成的间隔层，硅的δ掺杂层，未掺杂铟0.52铝0.48砷构成的肖特基层。在肖特基层上形成具有凹槽结构的管底层。在管底层上形成源极电极以及漏极电极，管底层的凹槽区域形成栅极电极。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管，包括由铟磷或是镓砷构成的半绝缘性衬底，和在该半绝缘性衬底上形成的缓冲层，和在该缓冲层上形成的沟道层，其特征在于所述缓冲层是由铟铝砷构成第一层，由铝镓砷、铟镓磷或铝镓磷的三种元素混合晶体构成第二层的层叠体。
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