[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明的目的是提供一种CMOS器件及其制造方法，其包含具有浅的源极和漏极区的P沟道FET。仅在形成P沟道FET的源极和漏极区的区域上生长掺杂B的选择外延层。通过形成与n沟道FET相对应的无定形区来在形成n沟道FET的源极和漏极区的区域上生长掺硼的选择外延层。

主权项

1.一种互补金属氧化物半导体(后面写作CMOS)器件，其特征在于包括：一个或多个n型场效应晶体管(后面写作FET)，其中每一个都包括：通过一绝缘层在基片上形成的一第一栅电极，围绕所述第一栅电极的第一侧壁，围绕所述第一栅电极在半导体基片上通过掺杂n型杂质形成的第一源极和漏极区；一个或多个P型FET，其中每一个包括：通过一绝缘层在基片上形成的一第二栅极。围绕第二栅极的第二侧壁，围绕第二栅极在半导体基片上通过掺杂P型杂质形成的第二源极和漏极区，掺入P型杂质的外延层仅生长在第二源极和漏极区上，及其中所述基片是硅基片。