[发明专利]带电粒子束曝光方法和在晶片上形成图形的方法无效
| 申请号： | 98100909.3 | 申请日： | 1998-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN1106687C | 公开（公告）日： | 2003-04-23 |
| 发明（设计）人： | 依马贵弘 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/30 | 分类号： | H01L21/30 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏,黄敏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 带电粒子束曝光方法中，用局部全场曝光的孔掩模，进行图形曝光，以便没有重叠，从而形成大量传递图形。如此做时，曝光量为能够形成图形的曝光量的1/2。然后，改变镜头位置，以便曝光位置与先前的曝光位置重叠，进行曝光形成下一传递图形。如此做时，曝光量也为形成图形所需量的1/2。以此方式，随着曝光位置的移动，每每进行两次曝光，每次的曝光量皆为1/2。 | ||
| 搜索关键词： | 带电 粒子束 曝光 方法 晶片 形成 图形 | ||
【主权项】：
1.一种带电粒子束曝光方法，其中借助单元图形利用局部全场曝光法在晶片上重复曝光，对于每个镜头移动镜头位置，所述带电粒子束曝光法包括以下步骤：确定每个镜头的曝光量为形成一个图形所需的曝光量的1/n(n为大于等于2的整数)；对形成于所述晶片上的相同区域重叠多次曝光n次，同时移动镜头位置，使目前的曝光区重叠于先前的曝光区上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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