[发明专利]在半导体芯片进行接合的构造和应用该构造的半导体装置无效
申请号: | 98100997.2 | 申请日: | 1998-03-31 |
公开(公告)号: | CN1198012A | 公开(公告)日: | 1998-11-04 |
发明(设计)人: | 铃木功一;佐藤定信;山下由美子 | 申请(专利权)人: | 日本电气株式会社 |
主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H01L23/50;H01L23/28;H01L23/12 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 穆德骏 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种将含金突起接合到半导体芯片的含铝电极焊盘上的同时,对该接合部分进行了树脂封装的半导体装置,在含铝电极焊盘与金突起之间的接合部分上的连接可靠性高。以及树脂封装型半导体装置及他们的制造方法。 | ||
搜索关键词: | 半导体 芯片 进行 接合 构造 应用 装置 | ||
【主权项】:
1.一种对半导体芯片进行结合的构造,是通过在半导体芯片上形成的含铝电极连接着含金的球状或线状的导体突起的半导体芯片上进行接合的构造,其特征是:在上述半导体芯片与上述导体突起之间,具备含有含铝电极接合部,上述接合部含有Pd和Cu。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日本电气株式会社,未经日本电气株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/98100997.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:聚酯薄膜及其制造方法
- 下一篇:缩短沟道长度的半导体器件