[发明专利]场效应管和含有该场效应管的功率放大器无效
| 申请号： | 98101021.0 | 申请日： | 1998-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN1145217C | 公开（公告）日： | 2004-04-07 |
| 发明（设计）人： | 杉村昭久;金泽邦彦 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H03F3/193 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 蹇炜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种晶体管，它含有：一个源区；一个漏区；一个位在源区和漏区之间的通道区；以及设置在通道区上的至少一个第一门电极和一个第二门电极。第一和第二门电极中的至少一个基本上横过通道区的全部宽度。第一和第二门电极中的至少另一个横过通道区的一部分宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 含有 该场 效应 功率放大器 | ||
【主权项】：
1、一种晶体管，它包括：一个源区；一个漏区；一个位在源区和漏区之间的通道区；以及设置在通道区上的一个第一门电极和一个第二门电极，其中：第一和第二门电极中的一个横过通道区的整个宽度，并且第一和第二门电极中的另一个横过通道区的一部分宽度，所述部分宽度小于该通道区的整个宽度。
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