[发明专利]提拉单晶的装置及方法有效
| 申请号： | 98101022.9 | 申请日： | 1998-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN1109135C | 公开（公告）日： | 2003-05-21 |
| 发明（设计）人： | 维尔弗里德·冯·阿蒙;汉斯·奥尔克鲁格;埃里希·多恩贝格尔;弗朗茨·泽吉特 | 申请（专利权）人： | 瓦克硅电子股份公司 |
| 主分类号： | C30B15/22 | 分类号： | C30B15/22 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 甘玲 |
| 地址： | 联邦德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种提拉硅单晶的装置，包括一个元件，该元件环绕在晶化界面上生长的单晶，并有一个面朝单晶的表面。该元件基本上在与晶化界面相同水平面上围绕单晶并具有反射单晶辐射出的热辐射或发出热辐射的性能。本发明还涉及一种提拉硅单晶的方法，其中该单晶受到所采用的一个围绕它的元件的热影响。 | ||
| 搜索关键词： | 提拉单晶 装置 方法 | ||
【主权项】：
1、一种提拉硅单晶的方法，其中，单晶(1)以速度V被提拉，同时选择比值V/G的值，其中G是在晶化界面区域(2)中单晶的轴向温度梯度，其特征在于，所述提拉速度V是这样选取的，即使得比值V/G的值取1.3×10-3cm2min-1K-1±10％，且所述单晶被热屏蔽器(4)围绕且在晶化界面区域中被元件(5)围绕，该元件的高度H为25-100毫米，且该元件具有带有将由单晶辐射出的热辐射反射至晶化界面上或发出热辐射至晶化界面上的性能的表面，通过配置所述热屏蔽器和所述元件而使得比值V/G在径向的变化被基本上避免。
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