[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 98101083.0 | 申请日： | 1998-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN1109363C | 公开（公告）日： | 2003-05-21 |
| 发明（设计）人： | 横山宏明 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L27/04;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 卢纪 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种如BiCMOS的半导体器件，它包括一个至少有一发射区的双极晶体管。在发射区上形成一发射极电极。另外，在该发射区上方形成一个布线图形。以这样的结构形成多个接触头使发射极电极与布线图形电连接。在此情况下，接触头被部分地埋入发射极电极内以防止双极晶体管的电流放大系数下降。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种包括一个至少有一发射区的双极晶体管的半导体器件，其特征在于，它包括：一个形成在发射区上的发射极电极；一个形成在发射区上方的布线图形；以及将所述发射极电极与所述布线图形电连接的多个接触头。
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