[发明专利]薄膜磁头无效
| 申请号： | 98101194.2 | 申请日： | 1998-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN1132158C | 公开（公告）日： | 2003-12-24 |
| 发明（设计）人： | 榊间博 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39;G11B5/31 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 蹇炜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种薄膜磁头含有一个屏蔽型磁电阻效应(MR)头部分，包括位在一屏蔽隙内的MR元件部分，其呈现有巨磁电阻效应；及一引线层，其使得电流沿垂直于MR元件部分的一个薄膜表面的方向流动。MR元件部分含有第一和第二磁性膜，且其间插入有一非磁性绝缘膜。第一磁性膜呈现软磁性质，设置在距薄膜磁头的那个对着磁记录媒体的表面第一距离处。第二磁性膜设置在距薄膜磁头的那个对着磁记录媒体的表面第二距离处，第二距离大于第一距离。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 磁头 | ||
【主权项】：
1、一种含有一个屏蔽型磁电阻效应(MR)头部分的薄膜磁头，包括：一个位于一个屏蔽隙内的MR元件部分，该MR元件部分具有巨磁电阻效应；以及其中MR元件部分含有第一和第二磁性膜，并且其间还夹有一个非磁性绝缘膜，第一磁性膜具有软磁性质，设置在距薄膜磁头的那个对着磁记录媒体的表面为第一距离的位置处，并且第二磁性膜设置在距薄膜磁头的那个对着磁记录媒体的表面为第二距离的位置处，其中第二距离大于第一距离；其中，薄膜磁头还包括一个引线层，其设置使得电流沿着垂直于第一磁性膜、第二磁性膜和MR元件部分的非磁性绝缘膜的薄膜表面的方向流动。
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