[发明专利]利用平面化技术制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 98101226.4 | 申请日： | 1998-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN1122301C | 公开（公告）日： | 2003-09-24 |
| 发明（设计）人： | 石川拓 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/318;H01L21/324 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏,黄敏 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种制造半导体器件的方法，包括：在晶体管元件上形成氮化膜、BPSG膜和含硼或磷的SOG氧化硅膜；在约5个大气压以上的压力和400℃-700℃的温度下的蒸汽气氛中热处理所得晶片；并在惰性气体气氛中热处理该晶片。第一热处理引起SOG膜的水解作用，形成凝胶态SOG膜，而第二热处理通过去掉SOG膜中所含水分固化SOG膜。SOG膜中的磷或硼减弱了SOG膜中-Si-O-Si-链中的结合键，帮助-Si-O-Si-链的分离，及SOG膜的平面化。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 平面化 技术 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在半导体衬底上依次形成半导体元件、第一绝缘膜、含磷和硼的第二绝缘膜、及至少含磷和硼之一的旋涂玻璃(SOG)第三绝缘膜，从而获得第一晶片；在5个大气压以上的压力和400℃-700℃的温度下的水蒸汽气氛中热处理该第一晶片；在惰性气体气氛中热处理该第一晶片；在第三绝缘膜上形成互连层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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