[发明专利]改善高崩溃电压的半导体功率整流器电压突降的方法无效
| 申请号： | 98101491.7 | 申请日： | 1998-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN1237798A | 公开（公告）日： | 1999-12-08 |
| 发明（设计）人： | 张彦晖;江国伟 | 申请（专利权）人： | 旭兴科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861 |
| 代理公司： | 北京三友专利代理有限责任公司 | 代理人： | 李强 |
| 地址： | 台湾省基隆*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种改善高崩溃电压的半导体功率整流器电压突降的方法，藉由在半导体基材及磊晶层之间设立隔绝层，即可使半导体基材上的晶格微缺陷不致影响到磊晶层，因此可以避免逆向电压突降现象，进而使此半导体功率整流器即使在450伏以上的高崩溃电压下也可工作。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 崩溃 电压 半导体 功率 整流器 方法 | ||
【主权项】：
1、一种改善高崩溃电压的半导体功率整流器电压突降的方法，其特征在于：包括有下列步骤：在一具有高浓度第一导电型的半导体基材上以磊晶方式形成一低浓度具有第二导电型的半导体磊晶层；在所述第二导电型半导体磊晶层，以热扩散方式形成一高浓度第三导电型的半导体杂质层；在所述第三导电型的半导体杂质层下形成有一空乏区；以及在所述第一导电型基材及第二导电型磊晶层之间形成一个或以上高浓度的隔绝层。
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