[发明专利]抗反射膜材料以及利用所述材料制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 98101557.3 | 申请日： | 1998-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN1098532C | 公开（公告）日： | 2003-01-08 |
| 发明（设计）人： | 佐本典彦;岩崎治夫;西沢厚;吉井刚;吉野宏 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/11 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 通过在半导体基片上形成的工件膜上涂敷一种抗反射膜形成材料形成抗反射膜，然后形成光致抗蚀膜。此时，该抗反射膜形成材料包括包括构成所述材料的基本树脂和添加到所述基本树脂中的添加树脂，所述添加树脂组具有比基本树脂高的干蚀率。通过对抗蚀膜辐射和显影形成抗蚀膜图形。然后利用抗蚀膜图形作为掩模对抗反射膜选择地蚀刻。因而，利用抗蚀膜图形和抗反射膜作为掩模选择地对工件进行蚀刻。 | ||
| 搜索关键词： | 反射 材料 以及 利用 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种直接应用于设置在半导体基片上的工件上和光抗蚀膜的正下方以形成抗反射膜的抗反射膜形成材料，其中所述材料包括基本树脂和添加到所述基本树脂中的添加树脂，所述添加树脂具有比所述基本树脂高的干蚀率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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