[发明专利]半导体器件的制作方法

摘要

在制作半导体器件过程中,在形成于硅衬底之上的氧化硅薄膜上,形成具有预定厚度并且与硅衬底电连接的非晶态硅层。通过非晶态硅层进行离子注入,由此混合氧化硅膜与非晶态硅层之间的界面。通过退火非晶态硅层并照射预定材料,在非晶态硅层表面形成成核体。把有成核体的非晶态硅层进行退火,以成核体为中心,在非晶态硅表面形成凸起。

主权项

1.一种制作半导体器件的方法，其特征在于，包括如下步骤：在形成于硅衬底上的氧化硅薄膜(102，202)上形成预定厚度并与所说硅衬底(101，201)电连接的非晶态硅层(103，203，208)；通过所说非晶态硅层进行离子注入，由此混合所说氧化硅膜与所说非晶态硅层之间的界面；对所说的非晶态硅层进行退火同时照射预定的材料，在所说非晶态硅表面形成成核体(104，204)；对有所说成核体的所说非晶态硅层进行退火，用所说成核体作为中心，在所说非晶态硅的所说表面上形成凸起(107，207)。